Den nya stacken är baserad på zirkoniumoxid och kommer att integreras i framtida generationer av CNF-MIM-kondensatorer. Den tidigare stacken, som baserades på hafniumoxid, användes i bolagets Gen Zero-kondensatorer.
Resultaten visade på en extraordinär förbättring av kapacitansdensiteten, med en 230 procentig ökning jämfört med den dielektriska stacken som användes i Gen Zero. Samtidigt minskade ett annat kritiskt prestandamått, strömläckage, med 50 procent.
Aktuellt
SENASTE
